...
机译:SiC(0001)上石墨烯生长面临的挑战:衬底效应,氢蚀刻和生长环境
机译:SiC(0001)上石墨烯生长面临的挑战:衬底效应,氢蚀刻和生长环境
机译:丙烷-氢化学气相沉积法在石墨烯生长过程中压力,温度和氢对SiC(0001)的影响
机译:丙烷-氢化学气相沉积法在石墨烯生长过程中压力,温度和氢对SiC(0001)的影响
机译:石墨烯在SiC(0001)上的CVD生长:基片切割的影响
机译:使用常规和五极外延生长工艺在氢(6)-碳化硅(0001)和硅(111)衬底上生长氮化镓和氮化铝镓薄膜。
机译:氢气下生长后退火在4H-SiC(0001)上外延石墨烯中的高电子迁移率
机译:外延石墨烯在4H-siC(0001)上的高电子迁移率 在氢气下进行后生长退火