机译:在InP衬底上生长的In_(1-x-y)Ga_xAl_yAs外延层的一阶拉曼光谱
III-V and II-VI semiconductors;
机译:在InP衬底上生长的In_(1-x-y)Ga_xAl_yAs外延层的一阶拉曼光谱
机译:(001)InP衬底上外延生长的In_(0.53)Ga_(0.47)As薄膜中In和Ga的有序化
机译:在InP衬底上生长成晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47-x)Al_xAs基质层中嵌入的多层InAs量子线的堆叠图案
机译:GAAs基材生长的Gase外延层的拉曼光谱和振动模式的群理论分析
机译:基于外延锗层的金属氧化物半导体器件,通过超高真空化学气相沉积直接在硅衬底上选择性生长
机译:缓冲剂类型对InP(100)衬底上生长的In0.82Ga0.18As外延层的影响
机译:缓冲类型对INP(100)衬底生长的IN0.82GA0.18AS外延层的影响
机译:Gaas和Inp衬底上生长的分子束外延Insb和Inas(X)sb(1-X)的表面形貌和电学特性