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王存让; 郭里辉; 李晋闽; 侯洵; 张工力;
中国科学院西安光学们密机械研究所;
光阴极; 异质结; 能带; 计算; 半导体;
机译:In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)晶格匹配InP的复介电函数的成分依赖模型
机译:InP上生长的Ga_(x)In_(1-x)As / InAs_(y)P_(1-y)双异质结构和InAs_(y)P_(1-y)多层的表征调查
机译:以红外反射为特征的应变In_(1-x)Ga_xAs / InP外延层中的声子
机译:IN_(1-x)GA_XAS_YP_(1-Y)NIPI结构及其在半导体光放大器的应用
机译:激光和探测器的气体源分子束外延,使用的是铟(1-x)镓(x)砷化物(y)磷化物(1-y)应变层。
机译:Hg(1-x)mn(x)Te和Hg(1-x-y)Cd(y)mn(x)Te外延层的生长,物理性质和器件特性。
机译:从基于碲的溶液中生产CDXHG(1-X)TE的外延层的方法
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