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丁国庆;
武汉电信器件公司;
张应变; 光荧光谱; 量子阱材料; 半导体材料;
机译:In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)晶格匹配InP的复介电函数的成分依赖模型
机译:由应变平衡Ga制成的短波长量子级联激光器的室温CW操作$ _ {bm x} $ In $ _ {bm {1-x}} $ As / Al $ _ {bm y} $ In $ _ {bm { 1-y}} $ As作为InP衬底上的材料
机译:使用ZnS_(1-y)Se_y势垒层减少Cd_xZn_(1-x)S阱层中的感应应变并抑制Mg_zZn_(1-z)S熔覆层和Cd_xZn_(1-x)之间的晶格失配引起的感应应变通过调整S / ZnS_(1-y)Se_y多量子阱
机译:适用于智能像素应用的InP上的应变平衡In_(1-x)Ga_xAs / In_(1-y)Ga_yP的多量子阱光调制器
机译:II-VI DMS异质结构的磁光研究:锌(1-xy)锰(x)镉(y)硒/锌(1-x)锰(x)硒单量子阱,锌(1-x)镉( x)硒/锌(1-y)锰(y)硒I型和硒化镉/碲化锌的II型超晶格。
机译:应变对 InP / Ga_ {x} In_ {1-x} P tex>量子盘中磁激子基态的影响
机译:相干应变对In(y)Ga(1-y)as / al(x)Ga(1-x)as量子阱结构中氢受体水平的影响
机译:基于InP的长波长光开关多量子阱结构的优化
机译:长波长光开关的基于InP的多量子阱结构的优化
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