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Optimization of InP-based Multi-Quantum Well Structures for Long-wavelength Optical Switches

机译:基于InP的长波长光开关多量子阱结构的优化

摘要

The present invention is a method for implementing a long-wavelength optical switch device that can be used for long-distance communication using optical fibers in the wavelength region having a minimum loss in the optical fiber by adjusting the component ratio and structure of the InGaAsP / InP hybrid structure with a multi-quantum well material We propose a calculation method to obtain an optimized structure that maximizes the light output intensity ratio and the maximum light absorption.
机译:本发明是用于实现长波长光开关装置的方法,该长波长光开关装置通过调整InGaAsP /的成分比和结构,可以使用在光导纤维中损耗最小的波长区域的光导纤维进行长距离通信。具有多量子阱材料的InP杂化结构我们提出一种计算方法,以获取使光输出强度比和最大光吸收率最大化的优化结构。

著录项

  • 公开/公告号KR960027587A

    专利类型

  • 公开/公告日1996-07-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 양승택;

    申请/专利号KR19940033891

  • 发明设计人 심숙이;최영완;권오균;이일항;

    申请日1994-12-13

  • 分类号H04B10/02;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 03:44:44

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