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机译:结构设计对应变补偿InAs / InGaAsN / GaAsN超晶格光学性质的影响
MOLECULAR-BEAM EPITAXY; QUANTUM-WELLS; HETEROSTRUCTURES; 1.3-1.55-MU-M; RANGE; LAYER;
机译:结构设计对应变补偿InAs / InGaAsN / GaAsN超晶格光学性质的影响
机译:应变补偿的InAs / InGaAsN / GaAsN异质结构在1.3-1.55μm光谱范围内的激光特性
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机译:GaAsBi基体对InAs量子点光学和结构性质的影响
机译:InGaAs / GaAsN应变补偿超晶格在InAs量子点中的应用
机译:INas / INGasB VLWIR超晶格的电学,光学和结构研究。