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IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996

召开年：1996
召开地：Monterey, CA
出版时间：-

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1.Laterally complex-coupled DFB-lasers in the 1.55 μm range basedon GS-MBE-grown InGaAsP-InP

机译：基于GS-MBE生长的InGaAsP-InP的1.55μm范围内的横向复耦合DFB激光器
- 作者：Hofmann J.;Kamp M.;Forchel A.;Gentner J.L.;Goldstein L.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
2.Compound semiconductor lighting based on InGaN ultraviolet LED andZnS phosphor system

机译：基于InGaN紫外LED和ZnS荧光粉系统的复合半导体照明
- 作者：Murakami K.;Kudo H.;Taguchi T.;Yoshimo M.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
3.Fabrication of device-related GaN/(Al,Ga)N heterostructures onSiC(0001) by reactive MBE

机译：反应性MBE在SiC（0001）上制备与器件相关的GaN /（Al，Ga）N异质结构
- 作者：Thamm A.;Brandt O.;Hilsenbeck J.;Lossy R.;Ploog K.H.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
4.Influence of the AlN buffer layer growth on AlGaN/GaN filmsdeposited on (111)Si substrates

机译：AlN缓冲层生长对（111）Si衬底上沉积的AlGaN / GaN膜的影响
- 作者：Venugopal R.;Liaw H.M.;Wan J.;Melloch M.R.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
5.Dislocation/grain boundary effects on the thermal conductivity ofhydride vapor phase epitaxy grown GaN/sapphire (0001)

机译：位错/晶界对氢化物气相外延生长的GaN /蓝宝石的热导率的影响（0001）
- 作者：Florescu D.I.;Pollak F.H.;Paskova T.;Valcheva E.;Monemar B.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
6.Quasi-free standing GaN epitaxial layer grown on nano-columnar GaNby RF-plasma assisted molecular beam epitaxy

机译：通过射频等离子体辅助分子束外延在纳米柱状GaN上生长的无准站立GaN外延层
- 作者：Kusakabe K.;Yamada T.;Toyoura Y.;Bannai R.;Kikuchi A.;Kishino K.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
7.Low temperature transport of n-type gallium nitride

机译：n型氮化镓的低温传输
- 作者：Chong G.;Reed M.A.;Gaffey B.;Gheriasmova M.;Mitev P.H.;Guido L.J.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
8.Bulk electronic transport in arsenic-doped gallium nitride thinfilms

机译：掺砷氮化镓薄膜中的体电子传输
- 作者：Mitev P.;Guido L.J.;Gherasimova M.;Gaffey B.;Van Lierde P.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
9.Visible emission from AlN doped with Eu, Tb, and Er ions

机译：掺有Eu，Tb和Er离子的AlN的可见发射
- 作者：Jadwisienczak W.M.;Lozykowski H.J.;Berishev I.;Bensaoula A.;Brown I.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
10.Single crystal rare earth oxides epitaxially grown on GaN

机译：在GaN上外延生长的单晶稀土氧化物
- 作者：Hong M.;Kortan A.R.;Kwo J.;Mannaerts J.P.;Lee C.M.;Chyi J.I.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
11.Noise spectroscopy of traps in GaN devices

机译：GaN器件中陷阱的噪声光谱
- 作者：Balandin A.;Wang K.L.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
12.Optical and structural studies of compositional inhomogeneity instrain-relaxed indium gallium nitride films

机译：组成不均匀应变松弛的氮化铟镓薄膜的光学和结构研究
- 作者：Robins L.H.;Armstrong J.T.;Marinenko R.B.;Vaudin M.D.;Bouldin C.E.;Woicik J.C.;Paul A.J.;Thurber W.R.;Miyano K.E.;Parker C.A.;Roberts J.C.;Bedair S.M.;Piner E.L.;Reed M.J.;El-Masry N.A.;Donovan S.M.;Pearton S.J.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
13.Optical properties of Al_1-xIn_xN thin filmsdetermined by spectroscopic ellipsometry

机译：椭圆偏振光谱法测定Al _{1-x In _{x N薄膜的光学性能}}
- 作者：Kasic A.;Schubert M.;Rheinlander B.;Off J.;Scholz F.;Herzinger C.M.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
14.Low avalanche noise behaviour in bulk Al_0.8Ga_0.2As

机译：Al _{0.8 Ga _{0.2 As块体中的雪崩噪声行为低}}
- 作者：Ng B.K.;David J.P.R.;Tozer R.C.;Rees G.J.;Tan C.H.;Plimmer S.A.;Hopkinson M.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
15.High-performance back-illuminated solar-blind AlGaNmetal-semiconductor-metal photodetectors

机译：高性能背照式太阳盲AlGaNmetal-半导体-金属光电探测器
- 作者：Lambert D.J.H.;Yang B.;Li T.;Collins C.J.;Wong M.M.;Chowdhury U.;Shelton B.S.;Beck A.L.;Campbell J.C.;Dupuis R.D.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
16.Author Index

机译：作者索引
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
17.Subject Index

机译：主题索引
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
18.Thermal stability of ZnMgSSe/ZnSe laser heterostructures

机译：ZnMgSSe / ZnSe激光异质结构的热稳定性
- 作者：Marko I.P.;Yablonskii G.P.;Gurskii A.L.;Lutsenko E.V.;Kalisch H.;Heuken M.;Walther T.;Heime K.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
19.Resonance cavity enhanced HIWIP FIR detectors

机译：谐振腔增强型HIWIP FIR检测器
- 作者：Perera A.G.U.;Korotkov A.L.;Shen W.Z.;Liu H.C.;Buchahan M.
- 会议名称：《》 | 2000年
20.Picosecond response of carbon doped InGaP photoconductive gate

机译：碳掺杂InGaP光电导栅的皮秒响应
- 作者：Wakana S.;Kikkawa T.;Okamoto N.;Tanaka H.;Tsuchiya M.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
21.Radiation hard InGaP for high efficiency multi-junction solar cells

机译：用于高效多结太阳能电池的辐射硬InGaP
- 作者：Khan A.;Yamaguchi M.;Bourgoin J.C.;Takamoto T.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
22.Gamma radiation effect on the GaAs solar cell performance

机译：伽玛辐射对GaAs太阳能电池性能的影响
- 作者：Feteha M.Y.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
23.2000 IEEE International Symposium on Compound Semiconductors.Proceedings of the IEEE Twenty-Seventh International Symposium onCompound Semiconductors (Cat. No.00TH8498)

机译：2000年IEEE化合物半导体国际研讨会.IEEE第二十七届化合物半导体国际研讨会的论文集（目录号00TH8498）
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
24.Analysis of localized charge trapping behavior in AlGaN/GaNheterostructures

机译：AlGaN / GaN异质结构中的局部电荷俘获行为分析
- 作者：Smith K.V.;Yu E.T.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
25.Optical constants, critical points, free carrier effects, andphonon modes of GaAsN single layers and GaAsN/InAs/GaAs superlattices

机译：GaAsN单层和GaAsN / InAs / GaAs超晶格的光学常数，临界点，自由载流子效应和声子模式
- 作者：Leibiger G.;Gottschalch V.;Kasik A.;Rheinlander B.;Sik J.;Schubert M.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
26.Optical constants of GaAs from 0.73 to 6.60 eV for dielectric filmthickness metrology in compound semiconductor manufacturing

机译：用于化合物半导体制造中介电膜厚度计量的GaAs光学常数从0.73至6.60 eV
- 作者：Zollner S.;Zarr D.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
27.Surface photovoltage spectroscopy and contactlesselectroreflectance characterization of a GaInP/GaAs heterojunctionbipolar transistor structure

机译：GaInP / GaAs异质结双极晶体管结构的表面光电压谱和非接触电反射特性
- 作者：Malikova L.;Mishori B.;Mourokh L.;Munoz M.;Pollak F.H.;Cooke P.;Armour E.;Sun S.;Silver J.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
28.Raman characterization of GaAs/InGaP heterostructure bipolartransistor

机译：GaAs / InGaP异质结构双极晶体管的拉曼表征
- 作者：Amtout A.;Ferguson I.;Lee D.S.;Sun S.Z.;Armour E.A.;Cooke P.;Stall R.A.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
29.Atomic force microscope measurement of channel temperature in GaAsdevices

机译：原子力显微镜在GaAs器件中测量通道温度
- 作者：Anderson W.T.;Mittereder J.A.;Roussos J.A.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
30.Inline sheet charge control during MBE production of AlGaAs/InGaAspHEMTs using AlAs etch stopper for GaAs cap removal

机译：使用AlAs蚀刻停止层去除GaAs盖的AlGaAs / InGaAspHEMT的MBE生产期间的在线薄板电荷控制
- 作者：Zhou G.;Liu W.;Lin M.-E.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
31.DLTS characterization of InAs self-assembled quantum dots

机译：InAs自组装量子点的DLTS表征
- 作者：Ilchenko V.V.;Lin S.D.;Lee C.P.;Tretyak O.V.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
32.Thermal characterization of thin film superlattice microrefrigerators

机译：薄膜超晶格微型制冷机的热特性
- 作者：Christofferson J.;Vashaee D.;Shakouri A.;Fan X.;Zeng G.;Labounty C.;Bowers J.E.;Croke E.T. III.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
33.External electronic and optical evidence for internal quantumtransport effects in BH-MQW lasers

机译：BH-MQW激光器内部量子传输效应的外部电子和光学证据
- 作者：Ban D.;Sargent E.H.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
34.Molecular beam epitaxial growth of group III-nitride-arsenides forlong wavelength optoelectronics

机译：长波长光电三族氮化物的分子束外延生长
- 作者：Spruytte S.G.;Larson M.C.;Wampler W.;Coldren C.W.;Harris J.S.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
35.Second-order nonlinear efficiency in II-VI semiconductors forwavelength conversion applications in the near IR

机译：II-VI半导体在近红外波长转换应用中的二阶非线性效率
- 作者：Pietralunga S.M.;Zappettini A.;Milani A.;Piccinin D.;Fere M.;Martinelli M.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
36.Ordering dependence of carrier lifetimes and ordered states of Ga_0.52In_0.48P/GaAs with degree of order les;0.64

机译：Ga _{0.52 In _{0.48 P / GaAs的载流子寿命和有序状态的有序关系，有序度为＆les; 0.64}}
- 作者：Sasaki A.;Tsuchida K.;Liu X.Q.;Ohno N.;Narukawa Y.;Kawakami Y.;Fujita Sg.;Hsu Y.;Fetzer C.;Stringfellow G.B.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
37.Effect of interlayer insulation on CdSe junction capacitance underreverse bias

机译：反向偏压下层间绝缘对CdSe结电容的影响
- 作者：Ingole V.T.;Ghatol A.A.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
38.Absorption dichroism of thin CdS films formed by pulsed-laserdeposition

机译：脉冲激光沉积形成的CdS薄膜的吸收二色性
- 作者：Ullrich B.;Sakai H.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
39.A quantitative modeling of In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As multi-quantum well structures usingphotocurrent and transmission spectra

机译：In _{0.53 Ga _{0.47 As / In _{0.52 Al _{0.48 As多量子阱结构的光电流和定量分析透射光谱}}}}
- 作者：Tanaka K.;Tanoue Y.;Shibata K.;Ueki Y.;Kotera N.;Washima M.;Nakamura H.;Mishima T.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
40.Ubiquitous blue light: The integration of InGaN-basedoptoelectronics with dissimilar substrates by wafer bonding and laserlift-off

机译：无处不在的蓝光：通过晶片键合和激光剥离将InGaN基光电器件与异种衬底集成在一起
- 作者：Wong W.S.;Kneissl M.;Mei P.;Treat D.W.;Teepe M.;Johnson N.M.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
41.Growth and characterization of InGaAs/AlInAs HEMT structures onoxide-bonded InGaAs substrates

机译：氧化物键合InGaAs衬底上InGaAs / AlInAs HEMT结构的生长和表征
- 作者：Shen J.-J.;Kim T.-H.;Brown A.S.;Moran P.;Kuech T.F.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
42.An electro-fluidic assembly technique for integration of III-Vdevices onto silicon

机译：用于将III-V器件集成到硅上的电流体组装技术
- 作者：Nordquist C.D.;Smith P.A.;Mayer T.S.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
43.MetamorphicIn_0.53Ga_0.47As-In_0.52Al_0.48As tunnel diodes grown on GaAs

机译：在GaAs上生长的In _{0.53 Ga _{0.47 As-In _{0.52 Al _{0.48 As隧道二极管}}}}
- 作者：Lewis J.H.;Pitts B.;Deshpande M.R.;El-Zein N.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
44.Depletion-mode GaAs MOSFET with a low temperature selective grownoxide gate

机译：具有低温选择性生长氧化物栅极的耗尽型GaAs MOSFET
- 作者：Jau-Yi Wu;Hwei-Heng Wang;Po-Wen Sze;Yeong-Her Wang;Mau-Phon Houng
- 会议名称：《》 | 2000年
45.Theoretical investigation of gate dielectrics

机译：栅极电介质的理论研究
- 作者：Demkov A.A.;Zhang X.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
46.A comprehensive DC/RF tunnel diode model and its application tosimulate HITFETs (heterostructure integrated tunneling FETs) andquantum-MMIC's

机译：全面的DC / RF隧道二极管模型及其在模拟HITFET（异质结构集成隧道FET）和量子MMIC的应用中的应用
- 作者：Deshpande M.R.;Lewis J.H.;Nair V.;El-Zein N.;Goronkin H.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
47.Full bandstructure modeling of quantum well infrared photodetectors

机译：量子阱红外光电探测器的全能带建模
- 作者：Yang H.;Frensley W.R.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
48.A new empirical interatomic potential for compound semiconductorsand its application to thermodynamic stabilities

机译：复合半导体新的经验原子间势及其在热力学稳定性中的应用
- 作者：Kangawa Y.;Ito T.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
49.Simulation of electron tunneling in HEMT devices

机译：HEMT器件中电子隧穿的仿真
- 作者：Lyumkis E.;Mickevicius R.;Penzin O.;Polsky B.;El Sayed K.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
50.Three-dimensional quantum transport by supercell method: Numericalacceleration and applications

机译：超单元法进行的三维量子传输：数值加速和应用
- 作者：Ting D.Z.-Y.;Gu M.;Cao J.;Chi X.;Schulman J.N.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
51.Formation of 0.5 μm-period GaAs network structures fortwo-dimensional photonic crystals by selective area metal-organic vaporphase epitaxy

机译：选择性区域金属-有机气相外延形成0.5μm周期的二维光子晶体GaAs网络结构
- 作者：Akabori M.;Motohisa J.;Fukui T.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
52.Adsorption and desorption of the surfactant Sb on GaInP grown byorganometallic vapor phase epitaxy

机译：表面活性剂Sb在有机金属气相外延生长的GaInP上的吸附和解吸
- 作者：Shurtleff J.K.;Lee R.T.;Stringfellow G.B.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
53.MOVPE based Zn diffusion into InP and InAsP/InGaAs heterostructures

机译：基于MOVPE的Zn扩散到InP和InAsP / InGaAs异质结构中
- 作者：Vanhollebeke K.;Moerman I.;Van Daele P.;Demeester P.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
54.Selective MOVPE growth of (Al)GaAs using DMGaCl and DMAlCl

机译：使用DMGaCl和DMAlCl的（Al）GaAs的选择性MOVPE生长
- 作者：Philippens M.;Giesen Ch.;Gerard B.;Rushworth S.;Heime K.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
55.Improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells by optimizing growth ratein MOCVD

机译：通过优化MOCVD中的生长速率来改善GaInNAs / GaAs量子阱
- 作者：Kawaguchi M.;Miyamoto T.;Gouardes E.;Schlenker D.;Kondo T.;Koyama F.;Iga K.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
56.Solid source molecular beam epitaxy of Al-free materials for laserapplications

机译：激光应用无铝材料的固体源分子束外延
- 作者：Moshegov N.T.;Mayer T.S.;Miller D.L.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
57.Epitaxial orientation-patterning of AlGaAs films for nonlinearoptical devices

机译：非线性光学器件AlGaAs薄膜的外延取向构图
- 作者：Pinguet T.J.;Eyres L.A.;Ebert C.B.;Levi O.;Fejer M.M.;Harris J.S.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
58.Epitaxial growth of heterostructures based on InAsPSb and GaInAsPSbisoperiodical with GaSb

机译：基于InAsPSb和GaInAsPS双操作与GaSb异质结构的外延生长
- 作者：Vasilev V.I.;Kuchinskii V.I.;Nikitina I.P.;Akhmedov D.;Smirnov V.M.;Vasukov D.A.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
59.Epitaxial GaN films on Si(111) with varied buffer layers

机译：具有不同缓冲层的Si（111）上的外延GaN膜
- 作者：Liaw H.M.;Venugopal R.;Wan J.;Melloch M.R.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
60.Molecular beam epitaxy of GaN/AlGaN multiple quantum wells:Application to near-infrared intersubband transitions (1.5-4.2 μm)

机译：GaN / AlGaN多量子阱的分子束外延：在近红外子带间跃迁（1.5-4.2μm）中的应用
- 作者：Ng H.M.;Gmachl C.;Chu S.N.G.;Cho A.Y.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
61.“Vibrational and optical properties of AlN grown onSi(111)”

机译：“在Si（111）上生长的AlN的振动和光学性质”
- 作者：Holtz M.;Zollner S.;Prokofyeva T.;Seon M.;Vanbuskirk J.;Copeland K.;Konkar A.;Nikishin S.A.;Faleev N.N.;Temkin H.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
62.Transverse momentum dependence of electron and hole tunneling in afull band tight-binding simulation resonant tunnelling diodes

机译：全带束缚模拟中电子和空穴隧穿的横向动量依赖性共振隧穿二极管
- 作者：Klimeck G.;Bowen C.;Boykin T.B.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
63.Observation of exciton-LO-phonon scattering suppression in ahigh-quality AlGaAs/GaAs quantum wire

机译：高质量AlGaAs / GaAs量子线中激子-LO-声子散射抑制的观察
- 作者：Wang X.-L.;Ogura M.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
64.Anomalies on the Zeeman splitting and dielectric response due tothe lack of inversion symmetry in narrow-gap semiconductor quantum wells

机译：窄间隙半导体量子阱中缺乏反演对称性，导致塞曼分裂和介电响应异常
- 作者：Lopez-Richard V.;Marques G.;Trallero-Giner C.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
65.Evaluation of strained piezoelectric InGaAs/GaAs QW structuresgrown on (111)B GaAs by photoreflectance spectroscopy

机译：用光反射光谱法评估（111）B GaAs上生长的应变压电InGaAs / GaAs QW结构
- 作者：Choo Soohaeng;Majerfeld A.;Sanchez J.J.;Munoz E.;Izpura I.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
66.Reduction of switching voltage in GaAs/AlGaAs optical modulators onp-i-n rib waveguide by enhancing the quadratic electrooptic effect

机译：通过增强二次电光效应来降低p-i-n肋形波导中GaAs / AlGaAs光调制器中的开关电压
- 作者：Hwa Sun Park;Wang Yeob Choi;Jong Chang Yi;Young Tae Byun;Sun Ho Kim
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
67.Quantum confined electronic states in InGaN dots embedded in GaN:tight-binding calculation

机译：嵌入GaN中的InGaN点中的量子约束电子态：紧密结合计算
- 作者：Saito T.;Arakawa Y.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
68.InAs quantum dot selective area epitaxy using InGaAs thin films

机译：使用InGaAs薄膜的InAs量子点选择区外延
- 作者：Yeoh T.S.;Huber A.E.;Woo C.Y.;Swint R.B.;Manzanedo C.;Coleman J.J.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
69.Optical memory effects in near-surface InAs/GaAs quantum dotshaving sharp electronic shells

机译：具有尖锐电子外壳的近表面InAs / GaAs量子点中的光学记忆效应
- 作者：Fafard S.;Allen C.N.;McCaffrey J.P.;Finnie P.;Fraser J.;Wasilewski Z.R.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
70.Capacitance-voltage spectroscopy of self assembled ordered arraysof quantum dots

机译：自组装有序量子点阵列的电容电压谱
- 作者：Kouklin N.;Bandyopadhyay S.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
71.The effect of GaP in Al-free, GaAs-based resonant tunnelling diodes

机译：GaP在无铝，基于GaAs的谐振隧穿二极管中的作用
- 作者：Wernersson L.-E.;Gustafson B.;Gustafsson A.;Borgstrom M.;Pietzonka I.;Pistol E.;Sass T.;Seifert W.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
72.Optical modulation of stored charges in single floating quantum dotgate field-effect transistor memory cell

机译：单个浮量子点栅场效应晶体管存储单元中存储电荷的光学调制
- 作者：Shima M.;Sakuma Y.;Sugiyama Y.;Awano Y.;Yokoyama N.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
73.Vapor phase synthesis of polycrystalline II-VI semiconductornanoparticles in a counterflow jet reactor

机译：在逆流喷射反应器中气相合成多晶II-VI半导体纳米粒子
- 作者：Sarigiannis D.;Mountziaris T.J.;Kioseoglou G.;Petrou A.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
74.Determination of the energy structure of InAs quantum dots

机译：InAs量子点能量结构的确定
- 作者：Stoleru V.G.;Towe E.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
75.Effective length of high-field region in InGaAs-basedlattice-matched HEMTs

机译：基于InGaAs的晶格匹配HEMT中高场区的有效长度
- 作者：Shigekawa N.;Suemitsu T.;Umeda Y.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
76.Characteristics of highly strained InGaP/InGaAs pseudomorphic highelectron mobility transistors grown on patterned GaAs substrates

机译：在图案化的GaAs衬底上生长的高应变InGaP / InGaAs伪形高电子迁移率晶体管的特性
- 作者：Sang-Soon Kim;Sung-June Jo;Jong-In Song
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
77.First demonstration of GaAs CMOS

机译：GaAs CMOS的首次演示
- 作者：Hong M.;Baillargeon J.N.;Kwo J.;Mannaerts J.P.;Cho A.Y.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
78.DC and microwave properties of 0.5 μm AlGaN/GaN high electronmobility transistors fabricated on 2-inch process line

机译：在2英寸生产线上制造的0.5μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的直流和微波特性
- 作者：Hilsenbeck J.;Lenk F.;Lossy R.;Wurfl J.;Kohler K.;Obloh H.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
79.Effect of passivation on AlGaN/GaN HEMT device performance

机译：钝化对AlGaN / GaN HEMT器件性能的影响
- 作者：Tilak V.;Green B.;Kim H.;Dimitrov R.;Smart J.;Schaff W.J.;Shealy J.R.;Eastman L.F.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
80.High current gain GaN bipolar junction transistors with regrownemitters

机译：具有重生长发射极的高电流增益GaN双极结型晶体管
- 作者：Xing H.;McCarthy L.;Keller S.;DenBaars S.P.;Mishra U.K.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
81.Molecular beam epitaxy of InGaN/GaN heterostructures for greenluminescence

机译：InGaN / GaN异质结构的分子束外延用于绿色发光
- 作者：Green D.S.;Heikman S.;Heying B.;Tavernier P.R.;Speck J.S.;Clarke D.R.;Den Baars S.P.;Mishra U.K.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
82.Development of 650 nm-emitting VCSELs for cw operation

机译：用于连续波操作的650 nm发射VCSEL的开发
- 作者：Oster A.;Zorn M.;Unold H.J.;Sebastian J.;Wenzel H.;John W.;Vogel K.;Weyers M.;Trankle G.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
83.Vertical cavity surface emitting laser with AlGaInAs/InP Braggmirrors fabricated for operation at 1.55 μm

机译：垂直腔表面发射激光器，带有AlGaInAs / InP布拉格镜，可在1.55μm的波长下工作
- 作者：Linnik M.;Christou A.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
84.High-power InAs/InGaAs type-II QW lasers grown on GaAs alternativesubstrate

机译：在GaAs替代衬底上生长的高功率InAs / InGaAs II型QW激光器
- 作者：Murry S.J.;Vilela M.F.;Sooriar N.;Anselm K.A.;Lin C.-H.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
85.Sb-heterostructure millimeter-wave zero-bias diodes

机译：锑异质结构毫米波零偏二极管
- 作者：Croke E.T.;Schulman J.N.;Chow D.H.;Pobanz C.;Case M.;Warren L.D.;Holabird K.S.;Dunlap H.L.;Haeussler C.D.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
86.High-power operation of a 660-nm-band self-aligned steppedsubstrate laser

机译：660 nm波段自对准步进衬底激光器的大功率工作
- 作者：Anayama C.;Sugiura K.;Furuya A.;Tanahashi T.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
87.The influence of rapid thermal annealing on InAsP/InP strainedmultiple quantum well laser diodes grown by metalorganic vapor phaseepitaxy

机译：快速热退火对金属有机气相外延生长的InAsP / InP应变多量子阱激光二极管的影响
- 作者：Wei-Han Wang;Chong-Yi Lee;Ya-De Tian;Tian-Tsorng Shih
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
88.Numerical simulation of transient and steady-state behavior ofheterostructure organic LEDs

机译：异质结构有机LED瞬态和稳态行为的数值模拟
- 作者：Ruhstaller B.;Carter S.A.;Scott J.C.;Barth S.;Riel H.;Riess W.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
89.Narrow-band light emission in a semiconductor-fiber asymmetricwaveguide coupler

机译：半导体光纤非对称波导耦合器中的窄带光发射
- 作者：Mao E.;Lin C.-C.;Solgaard O.;Harris S. Jr.;Yankelevich D.R.;Knoesen A.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
90.Factors determining the external quantum efficiency of AlGaInPmicrocavity light-emitting diodes

机译：确定AlGaInP微腔发光二极管的外部量子效率的因素
- 作者：Royo P.;Stanley R.P.;Ilegems M.;Streubel K.;Gulden K.H.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
91.Deconvolution of the intrinsic spectrum of AlGaInP microcavitylight-emitting diodes

机译：AlGaInP微腔发光二极管的本征光谱去卷积
- 作者：Royo P.;Stanley R.P.;Ilegems M.;Streubel K.;Gulden K.H.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年
92.Temperature dependence of threshold current for 1.8 to 2.3 μm(AlGaIn)(AsSb)-based QW diode lasers

机译：基于1.8至2.3μm（AlGaIn）（AsSb）的QW二极管激光器的阈值电流的温度依赖性
- 作者：Rattunde M.;Mermelstein C.;Simanowski S.;Schmitz J.;Kiefer R.;Herres N.;Fuchs F.;Walther M.;Wagner J.
- 会议名称：《IEE Third one-day Colloquium on Analog Signal Processing, 1996》 | 2000年