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机译:硅锗外延层:生长应变和完全松弛的异质结构的物理基础
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机译:在松弛的Si_(1-x)Ge_x缓冲层上生长的应变硅/应变硅(1-y)Ge_y /应变硅异质结构中改善了空穴迁移率和热稳定性
机译:平面应变硅锗虚拟衬底上的应变硅薄膜的直接长生
机译:使用硅锗应变松弛缓冲器的厚度作为设计参数来最大化应变Si MOSFET的电压增益的设计方法
机译:单电子量子点应用中的应变硅/松弛硅锗异质结构的电气和材料性能。
机译:单层材料应变横向异质结构中的一维电子气
机译:使用硅锗应变松弛缓冲器的厚度作为设计参数,改善了应变硅MOSFET的模拟性能