晶闸管(可控硅)属于《中国图书分类法》中的四级类目,该分类相关的期刊文献有1844篇,会议文献有399篇,学位文献有177篇等,晶闸管(可控硅)的主要作者有张昌利、王彩琳、赵善麒,晶闸管(可控硅)的主要机构有西安电力电子技术研究所、西安理工大学、华中科技大学等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
摘要: 针对单训练样本中识别干扰因素较多的问题,为了增加人脸识别效果,在考虑局部邻域多流形度量的基础上,提出一种新的单训练样本人脸识别算法。首先预处理人脸图像信息,将...
2.[期刊]
摘要: 用实际运行参数评估设备性能指标时,由于只能观测不同工况下阀门开度和阀前后压力等少量的运行参数,所以很难用现有的传统模型计算设备的性能指标。通过设备在不同工况下...
3.[期刊]
摘要: 大功率半导体器件是直流输电、牵引传动与工业变流等系统的核心部件,如何有效地评估器件工作状态并准确预测其剩余使用寿命,是提升系统工作可靠性的关键难题。该文通过对...
4.[期刊]
摘要: 温室蔬菜大棚作为农业生产的重要基础设施,是“智慧农业”的一个重要组成部分。为此,文中设计一种基于自主研发的数字温度传感器芯片IC2031测温系统。相比于传统的...
5.[期刊]
摘要: 集成门极换流晶闸管(IGCT)由于电压等级高、关断电流能力大、通态损耗低,在直流断路器(DCCB)领域应用倍受关注。基于4英寸4.5kV/4kA IGCT技术...
6.[期刊]
摘要: 碳化硅(SiC)可关断晶闸管(GTO)在感性负载关断过程中,过流应力会导致器件发生关断失败的现象,从而影响器件的可靠性,限制安全工作区(SOA)。此处通过Se...
7.[期刊]
摘要: 在此通过计算机仿真方法对影响特大功率晶闸管阻断电压的结终端技术进行仿真分析,并对仿真结论进行试验验证,证实了具有双负斜角结构的特大功率晶闸管,其结终端技术的负...
8.[期刊]
摘要: 基于第三代宽禁带半导体材料4H-SiC的超高压门极可关断晶闸管(Gate Turn-Off Thyristor,GTO)器件,在双向载流子注入和电导调制效应的...
9.[期刊]
摘要: 为了保证固态切换开关在切换过程中晶闸管阀能准确无误地导通,设计了一种固态切换开关触发控制单元。首先,介绍了固态切换开关结构组成及工作原理和该触发控制单元结构组...
10.[期刊]
摘要: 为了解决传统调度系统在调度过程中经过较少的迭代次数就趋于收敛,容易使寻优结果陷入局部极值,从而导致调度方案无法得到最优的问题,文中设计一种基于混合粒子群的风-...
11.[期刊]
摘要: 交流耗能装置是解决柔性直流电网故障情况下功率盈余问题的关键设备,在此以张北工程交流耗能装置为例,介绍了其核心设备晶闸管阀的电气设计、结构设计、控制系统设计,对...
12.[期刊]
摘要: 磁场导向控制FOC(field-oriented control)矢量控制算法在伺服驱动控制系统中一般由CPU或DSP实现,难以满足航天应用中实时性较高场景下...
13.[期刊]
摘要: 为尽可能减少换流阀的换相失败,发挥晶闸管的更大效能,在此介绍了高压直流输电(HVDC)换流阀中晶闸管的阻断恢复期特性,并给出阻断恢复期保护的两种方法及保护定值...
14.[期刊]
摘要: 电压源型换流器柔性直流输电(VSC-HVDC)旁路晶闸管伴随使用需求的不断提升,不仅需要满足较低的主电压开通功能,还需要集成转折击穿功能.从VSC-HVDC用...
15.[期刊]
摘要: 随着大功率晶闸管逐步应用到超工频、高脉冲等工况,器件的反向恢复过程失效成为突出问题.在此使用SILVACO TCAD仿真软件进行反向恢复过程机理和晶闸管结构的...
16.[期刊]
摘要: 介绍了4.5 kV非对称门极换流晶闸管(GCT)阻断电压失效现象,并进行分析.通过对GCT工艺流程的梳理,找到了GCT阻断电压失效的原因.制造过程中,铝扩散工...
17.[期刊]
摘要: 菲律宾Mindanao-Visayas±350 kV/450 MW高直流输电工程是我国的企业走出国门,输出中国高压直流(HVDC)输电技术的又一成功范例.在此...
18.[期刊]
摘要: "声子液体"热电材料β-Cu2-x Se具有优异的热电转换效率,采用分子动力学模拟的方法研究其热传导性能,分析了类"液态"离子的扩散能力和材料导热性能的相关性...
19.[期刊]
摘要: 碲化铋(Bi_(2)Te_(3))热电材料是能将热能与电能直接进行转换的功能材料,广泛应用于固态制冷、废热回收、空间发电等领域。目前本领域内的研究热点集中在如...
20.[期刊]
摘要: 针对脉冲工况下,大功率晶闸管开通过程中面临的动态电压分布不均问题,首先从理论上分析了动态电压分配的函数表达式,总结了RsCs缓冲保护参数的选取依据。随后,搭建...
1.[会议]
摘要: 作为高压直流输电换流阀的核心器件,晶闸管的反向恢复特性对换流阀的电磁暂态特性有重要影响,也是换流阀设计、制造、运行和检修的理论基础.搭建实验平台,通过实验研究...
2.[会议]
摘要: 晶闸管换流阀是高压直流输电工程的核心设备之一,直接影响直流系统的运行可靠性.在直流工程投建、运维及检修期间,需要对换流阀中每个晶闸管级单元进行例行测试,针对晶...
3.[会议]
摘要: 回顾了螺栓型整流二极管、晶闸管的发展历程;介绍了IR公司的十种标准螺栓型器件;在新形势下,叙述了晨伊公司在IR公司基础上,采用的低功耗芯片结构、PN结终端大正...
4.[会议]
摘要: 大功率三相可控整流桥中晶闸管的导通故障易造成供电变压器的不对称运行甚至烧毁等严重事故.为实时检测整流桥的导通故障,本文提出了一种基于谐波分析的故障判断策略.整...
5.[会议]
摘要: 为了验证国际热核聚变实验堆(ITER)极向场电源系统中的晶闸管在最恶劣中子环境下的工作特性,本文首次报道了高能中子辐照对晶闸管的影响.选取与ITER同型号的两...
6.[会议]
摘要: 本文介绍了过零检测触发可控硅技术的原理、应用,以及结合它在某家电产品中的具体应用案例分析,可知可控硅的导通与关断会产生过大的EMI干扰,导致产品不符合EMC标...
7.[会议]
摘要: 本文依据双芯GCT的结构特点,建立了其单管封装和集成化封装两种模型,采用ANSYS有限元分析软件,对外加风冷散热器时两种封装的散热特性进行对比研究,并分析了采...
8.[会议]
摘要: 目前,晶闸管三相桥式整流电路广泛地应用在各行各业,但它的应用也给电网带来了大量的无功功率,降低了系统的功率因数.以晶闸管三相桥式整流电路为例,定性、定量地分析...
9.[会议]
摘要: 集成门板换流晶闸管(IGCT)作为一种新型电流型器件,是在门极可关断晶闸管(GTO)的基础上发展而来.由予IGCT集成了门极换流晶闸管(GCT)和门极驱动电路...
10.[会议]
摘要: 就像二极管、三极管是电子技术中最基本的器件一样,晶闸管是电力电子技术中最基本的器件.因此,掌握晶闸管的特性,是学习电力电子技术的基础.而且,晶闸管应用广泛,只...
11.[会议]
摘要: 作为一种常用的开关器件,晶闸管的导通特性备受关注,尤其是随着晶闸管器件在电磁脉冲作用下意外导通事故的频发,其在电磁环境中的触发导通规律有待进一步深入研究.本文...
12.[会议]
摘要: 从器件工艺理论上分析门极部分对测试晶闸管关断时间影响的原因,搭建相关测试电路来进行对比试验.为晶闸管等器件的实际应用提供了参考,对正常测试晶闸管电路换向关断时...
13.[会议]
摘要: 为了满足下一代特高压直流输电(UHVDC)换流器对超高电压电力半导体器件的需求,本文结合了仿真和理论分析,研究设计了一个超高电压(30kV)宽禁带碳化硅(Si...
14.[会议]
摘要: 基于电压过零投入、电流过零退出的二控三型TSC在重复投切过程中容易发生晶闸管闭锁现象.通过对TSC主电路理想模型的建立,详细地分析了晶闸管闭锁现象的产生原因....
15.[会议]
摘要: 本文利用ISE-TCAD软件建立了波状基区GCT的二维数值分析模型,分析了波状基区GCT的各项特性,讨论了波纹形状对其最大可关断电流密度和通态特性的影响.结果...
16.[会议]
摘要: 从载流子的扩散和漂移两个方面分析了晶闸管的开通过程机理,开发设计了结合MOSFFT和单片机在内的强触发电路,实现了开通速度快、脉冲宽度和触发电流强度以及触发电...
17.[会议]
摘要: 一种适应电源频率变化的晶闸管三相全控整流桥α角控制器,以单片微处理器芯片为核心,通过算法软件处理,跟踪电源频率变化,最终以脉冲列调制双脉冲方式产生6相触发脉冲...
18.[会议]
摘要: 随着脉冲功率技术的发展,浪涌电流在kA级的脉冲功率晶闸管得到了广泛应用,并且现有研究表明脉冲功率晶闸管的极限工作电流与其温度特性有着密切的联系.本文基于热敏参...
19.[会议]
摘要: 为建立有效的晶闸管模型来仿真晶闸管关断时过电压,减小晶闸管过压损坏的概率,本文以最大通流150kA、耐压5.2kV的脉冲晶闸管为研究对象,将其前置于脉冲形成单...
20.[会议]
摘要: IGCT开关具有耐压高通流能力强工作重频高的特点,然而在纳秒级长脉冲脉冲功率系统中应用较少.本文以株洲南车生产的非对称性IGCT做开关,通过搭建纳秒级的放电回...
1.[学位]
摘要: 在过去的60年中,硅(Silicon,Si)材料发展至今已十分成熟,其硅基半导体器件的性能也已达到材料本身的极限。碳化硅(Silicon Carbide,Si...
2.[学位]
摘要: 水凝胶是一种具有三维网络结构的软性材料,具有很多优异的性能,如高含水率、生物相容性、吸水保水能力强、可塑性高等特点,因此在生物组织工程、传感器、商业等领域都得...
3.[学位]
摘要: 随着电力半导体器件(尤其是IGBT和GCT)的迅速发展,中压大功率变流装置在石油化工、矿山开采、冶金和轧钢、运输等工业领域得到了越来越广泛的发展,同时节约了电...
4.[学位]
摘要: 电能的合理分配和利用对建设环保节约型社会越来越重要。电能的转换利用离不开电力电子技术。功率器件作为该技术的核心部件每次的推陈出新,都带动着电力电子技术的进步。...
5.[学位]
摘要: 文章介绍了电力电子技术和功率半导体器件的发展,列举了三代功率半导体器件中典型的器件和各自的特点,并对比了它们之间的区别。大致介绍了晶闸管、GTO以及MCT,对...
6.[学位]
摘要: 随着信息技术的不断发展,互联网-物联网不断地深入到人们的生活之中,高速、高带宽的光纤通信系统得到了广泛的研究。近年来,随着短距离、小尺寸系统间低能耗、高带宽数...
7.[学位]
摘要: 可控硅从上世纪50年代问世以来,经过近60年的发展已经在现代社会的生产和生活中扮演着越来越重要的角色:由于具有优良的调频、变速性能,可控硅被广泛应用在工业生产...
8.[学位]
摘要: 传统双芯GCT(Dual-GCT)是一种损耗很低的新型电力半导体器件,由低通态损耗的GCT-A和低关断损耗的GCT-B并联在同一硅片上形成的。波状基区双芯GC...
9.[学位]
摘要: 集成门极换流晶闸管(IGCT)是在门极可关断晶闸管(GTO)的基础上发展而来的一种新型的电力电子器件,具有高耐压、低导通压降、高速开关能力、硬驱动及无需缓冲电...
10.[学位]
摘要: 集成门极换流晶闸管(IGCT)是由门极换流晶闸管(GCT)与其门极驱动单元通过印刷电路版(PCB)集成在一起构成的一种新型大功率半导体器件。这种特殊的结构,使...
11.[学位]
摘要: 集成门极换流晶闸管(IGCT)是在门极可关断晶闸管(GTO)的基础上发展而来的一种大功率电力半导体器件。在中高压电力电子装置及大功率领域具有很好的应用前景。为...
12.[学位]
摘要: 动态雪崩是影响电力半导体器件可靠性的一个重要因素。随着近年来集成门极换流晶闸管(IGCT)的应用范围不断拓展,失效问题也越来越多,因此对其动态雪崩的诱发因素和...
13.[学位]
摘要: 集成门极换流晶闸管(IGCT)是在门极可关断晶闸管(GTO)的基础上发展而来的一种新型大功率电力半导体器件,具有高耐压、低损耗、快速度、硬驱动及无需缓冲电路等...
14.[学位]
摘要: 集成门极换流晶闸管(IGCT)作为一个新型的电力半导体器件,广泛的应用于大功率领域。阻断电压及其稳定性是衡量器件阻断能力和可靠性的一个非常重要的标志,为了提高...
15.[学位]
摘要: 4H-SiC晶闸管以其耐压高、通态压降小、通态功耗低等优点在特大功率的工频开关应用,尤其是高压直流输电(highvoltageDC,HVDC)中具有较大优势。...
16.[学位]
摘要: 虽然Si晶闸管已成功应用多年,但是它的耐压和dv/dt、di/dt耐量已逐渐逼近Si材料的物理极限,仅依靠Si晶闸管的结构设计和制造工艺的优化来进一步提高单个...
17.[学位]
摘要: 随着微电子、光电子、传感器技术和材料技术的不断发展,各类光学材料得到了广泛应用,同时也对光学材料的超光滑无损伤加工提出了更高的要求。传统固结磨料研磨抛光技术由...
18.[学位]
摘要: 在高压大功率的应用中,传统的硅基半导体的耐压,耐dv/dt,di/dt能力已经达到了其自身极限,基于宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)的功率器件比硅材料的器件有...
19.[学位]
摘要: 随着我国国民经济的发展以及现代电力电子技术的迅猛发展和普及应用,使得大功率可控硅整流器这一实用技术发生了革命性变化。尤其近年来工业生产企业普遍要求提高生产效率...
20.[学位]
摘要: 目前,固态脉冲功率技术正处在一个飞速发展阶段,即重复频率应用阶段。固态重频脉冲电源的发展,在很大的程度上依赖于开关技术的突破。现下,该领域最具有应用前景的开关...