首页> 中文期刊>电力电子技术 >4.5 kV非对称GCT阻断电压失效分析

4.5 kV非对称GCT阻断电压失效分析

     

摘要

介绍了4.5 kV非对称门极换流晶闸管(GCT)阻断电压失效现象,并进行分析.通过对GCT工艺流程的梳理,找到了GCT阻断电压失效的原因.制造过程中,铝扩散工艺中受到污染导致了少子寿命的大幅降低,从而造成GCT漏电流过大的特性.最终通过在铝氧化推进工艺中引入二氯乙烯(DCE)清洗或在铝扩散后增加磷吸收工艺,解决了GCT阻断电压失效的问题.

著录项

  • 来源
    《电力电子技术》|2021年第2期|134-136|共3页
  • 作者单位

    新型功率半导体器件国家重点实验室 湖南株洲412000;

    株洲中车时代半导体有限公司 湖南株洲412000;

    新型功率半导体器件国家重点实验室 湖南株洲412000;

    株洲中车时代半导体有限公司 湖南株洲412000;

    新型功率半导体器件国家重点实验室 湖南株洲412000;

    株洲中车时代半导体有限公司 湖南株洲412000;

    新型功率半导体器件国家重点实验室 湖南株洲412000;

    株洲中车时代半导体有限公司 湖南株洲412000;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 晶闸管(可控硅);
  • 关键词

    门极换流晶闸管; 非对称; 阻断电压; 少子寿命;

  • 入库时间 2022-08-20 04:40:01

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号