机译:随机掺杂波动对触发器时序特性的影响
Department of Electronics and Electrical Engineering, University of Glasgow, Glasgow, United Kingdom;
Device variability; flip-flops (FFs); nonparametric estimation; parameter fluctuations;
机译:离散随机掺杂物涨落对纳米级掺杂物隔离的肖特基势垒纳米线的影响
机译:负电容CMOS逆变器中随机掺杂剂波动的定时和功率变化的性能提高
机译:低压下随机掺杂波动对逻辑时序的影响
机译:基于迁移率和掺杂物数量波动的模型的比较分析,用于在存在随机陷阱和随机掺杂物的情况下估算45 nm沟道长度MOSFET器件中的阈值电压波动
机译:对纳米级三栅MOSFET中的随机掺杂剂波动效应进行建模。
机译:随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动
机译:可变性对静态触发器时序特性影响的比较研究