机译:自旋霍尔效应MRAM器件的节能和工艺变化弹性写电路方案
University of Central Florida, Orlando, FL, USA;
University of Central Florida, Orlando, FL, USA;
University of Central Florida, Orlando, FL, USA;
Magnetic tunneling; Switches; Switching circuits; Transistors; Mathematical model; Integrated circuit modeling; Mirrors;
机译:通过开发无分流设计工艺和W自旋霍尔电极,在高速自旋电子学存储器(自旋霍尔MRAM和VoCSM)中具有低写入电流和强大的耐用性
机译:通过开发无分流设计工艺和W自旋霍尔电极,在高速自旋电子学存储器(自旋霍尔MRAM和VoCSM)中具有低写入电流和强大的耐用性
机译:自旋阀/二极管MRAM单元中具有同步电流方案的按位选择读写
机译:使用比较写入方案的基于STT-MRAM的查找表(LUT)中的节能写入电路
机译:改进相变存储器(PCM)和自旋扭矩传递磁性RAM(STT-MRAM)作为下一代存储器:电路角度。
机译:低VDD场景PVT-AWARE STT-MRAM传感电路的研究
机译:使用诱导的旋转模式在切换MRAM中的增强写边距减少写字段