一种面向SOT-MRAM相关电路的自旋电子工艺设计系统

摘要

本发明的一种面向SOT‑MRAM相关电路的自旋电子工艺设计系统，通过计算机设备实现，所述设计系统包含三种文件SOT‑MTJ单元库、工艺文件和物理验证规则文件；所述SOT‑MTJ单元库包含以下四个文件：SPICE仿真模型veriloga，符号symbol模块，版图layout模块和auCdl模块；本发明的自旋电子工艺设计包囊括了SOT‑MRAM相关电路设计所必需的各种文件，可辅助完成SOT‑MRAM的电路设计和版图设计；设计规则检查和版图与原理图一致性检查文件是根据SOT‑MTJ器件的具体特性和大量的实验数据而编写，具有高精确度和可靠性；本发明的磁性工艺设计包具有很高的灵活性，所采用的编程语言具有通用性，可通过简单的参数修改与不同工艺节点的传统工艺设计包兼容，具有高度的可扩展性和延展性。