Heを導入したスパッタ法によるa－SiC：H薄膜の徴結晶化

摘要

SiC:H films have been deposited by reactive rf magnetron sputtering of Si target in helium and methane (diluted by argon) gas mixtures. The effects of helium partial pressure ratio R on the structural, optical and electrical properties of the films were investigated. With increasing R above 75%, both the optical bandgap and the concentration of hydrogen bonded to silicon atoms decreas, and the dark conductivity increases rapidly. These data imply that the nanocrystallization of SiC:H films could be attained by introducing hellium in the sputtering process.%シリコンを主体としたテトラへドラル系薄膜の研究は，水 素化アモルファスシリコン（a－Si：H）を基盤とした積層太陽 電池の変換効率向上の視点から，ボトム層として徴結晶薄膜 の有効性が注目されて以来，最近ではa－SiGe：Hやa－SiC：H などの二元系材料の微結晶化の研究が活発に行われてい る．これら二元系材料においては，バンドギャップ（光学 ギャップEo：a－Si：HではEo～1．7eV）の制御が重要であ る．構成材料と成膜条件を変化させることによって，Eoを 1～2．5eVの広い範囲で変化させることが可能である．即ち， Siを中心とした場合は，Geとの二元化によるEoの縮小， またはCとの二元化によりEoの拡大が可能である．