溅射非晶钴硅薄膜的晶化过程及其分析

摘要

利用射频磁控溅射方法制备了具有CoSi2成分的非晶薄膜,对非晶薄膜的晶化过程进行了原位X射线分析。结果显示,溅射态薄膜为非晶态,而自由能-成分曲线说明非晶态合金有较低自由能。在非晶晶化过程中初生相为CoSi相,其形成由有效形成热(EHF)因素和结构因素决定。随加热温度升高,非晶薄膜晶化最终得到晶体CoSi2薄膜。