机译:二氧化硅基质化学性质对原子层沉积所沉积氮化钽薄膜的影响:微观结构,化学性质和电学行为
ST Microelectronics, 850 Rue Jean Monnet, F-38926 Crolles, France;
Univ Grenoble Alpes, Grenoble INP, CMTC, F-38000 Grenoble, France;
Univ Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP, SIMaP, F-38000 Grenoble, France;
Tantalum nitride; Atomic layer deposition; Ultra-thin films; Silica-based surface; Growth mechanisms; Pentakis-DiMethyl-Amino-Tantalum; X-Ray photoelectron spectroscopy; Electrical properties;
机译:叔酰胺基三(二甲基氨基)钽和氢等离子体对氮化钽薄膜的等离子体增强原子层沉积
机译:等离子体增强原子层沉积法沉积的氮化钽薄膜的高温相变,用于栅电极应用
机译:使用二异丙氨硅烷(DIPA)和N-2等离子体的等离子体增强原子层沉积SINX薄膜的化学。
机译:原子层沉积法沉积碳氮化钽薄膜的特性
机译:通过无机低温化学气相沉积法生长的钽和氮化钽膜,用于铜金属化:化学,工艺以及材料开发和表征。
机译:等离子体增强原子层沉积在低温下沉积的HfO2薄膜的结构光学和电学性质
机译:使用等离子体增强的原子层沉积在低温下沉积HFO2薄膜的结构,光学和电性能