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Methods for depositing thin films comprising indium nitride by atomic layer deposition

机译：通过原子层沉积来沉积包含氮化铟的薄膜的方法

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摘要

Atomic layer deposition (ALD) processes for forming thin films comprising InN are provided. The thin films may find use, for example, in light-emitting diodes.

机译：提供了用于形成包含InN的薄膜的原子层沉积（ALD）工艺。薄膜可以发现例如在发光二极管中使用。

著录项

公开/公告号US10707082B2

专利类型
公开/公告日2020-07-07

原文格式PDF
申请/专利权人 SUVI HAUKKA;VILJAMI J. PORE;ANTTI NISKANEN;
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申请/专利号US201213525072
发明设计人 SUVI HAUKKA;VILJAMI J. PORE;ANTTI NISKANEN;
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申请日2012-06-15
分类号H01L21/205;H01L21/02;C23C16/30;C23C16/455;C30B25/14;C30B29/40;
国家 US
入库时间 2022-08-21 11:29:15

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