机译:多层膜选择性刻蚀可控一维纳米模具的最佳条件
Nanjing Univ, Dept Phys, Nanjing 210093, Peoples R China;
Jilin Normal Univ, Inst Solid State Phys, Jilin 136000, Peoples R China;
nanomold; multilayer deposition technique; selective etching; LITHOGRAPHY; SILICON;
机译:通过对Pt和Ru电极进行选择性刻蚀的多层薄膜电容器
机译:硅衬底最佳刻蚀条件对非晶金刚石膜场电子发射的影响
机译:介孔单层或多层薄膜中银纳米粒子的受控沉积:从微孔填充到纳米物体的选择性空间定位
机译:薄金属膜的受控化学蚀刻的方面,特别是多层型
机译:基于八氟环丁烷的等离子放电的特征,用于二氧化硅和低K介电薄膜的选择性刻蚀和处理。
机译:聚合物/富勒烯共混膜的选择性湿蚀刻用于表面和纳米形态控制的有机晶体管和灵敏度增强的气体传感器
机译:光控制的选择性破坏,多级图案化,以及含有四个光纤维发色团的聚电解质多层膜的顺序释放
机译:氟化气体中钨膜的选择性反应离子刻蚀