机译:锂掺杂和空位对六方氮化硼片材的结构,电子和磁性的影响:第一性原理计算
Iran Univ Sci & Technol, Dept Phys, Mat Simulat Lab, Tehran 1684613114, Iran;
Iran Univ Sci & Technol, Dept Phys, Mat Simulat Lab, Tehran 1684613114, Iran;
Hexagonal boron nitride; Lithium doping; Vacancy; First-principles;
机译:5d过渡金属原子掺杂的六方氮化硼片的结构,电子和磁性:第一性原理计算和分子轨道分析
机译:Ni(111)载体上金原子掺杂的六方氮化硼薄板的稳定性和电子性能:空位缺陷和载体对单原子催化的作用
机译:通过第一性原理pseudo势计算方法计算石墨氮化硼片中空位的磁性能
机译:完全氢化的氮化硼片和纳米带的结构和电子性质:第一性原理计算的启示
机译:应变效应:六边形氮化硼(HBN)中硼空位(V B)的性质
机译:调整石墨烯的电子和磁性用横向电将薄片嵌入氮化硼纳米带中领域:第一性原理计算
机译:由第一性原理计算的掺碳氮化硼片的电子结构