一种具有丰富缺陷和硫空位的钴掺杂硫化铜纳米片材料及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种具有丰富缺陷和硫空位的钴掺杂硫化铜纳米片材料及其制备方法和应用。包括以下步骤：将铜盐溶液加入到硫脲溶液中，搅拌下迅速白色絮状物溶液；在搅拌下将钴盐溶液与白色絮状物溶液混合并搅拌15分钟，然后将溶液转移至反应釜中，在140℃～160℃水热反应12～15小时，经离心，洗涤、干燥得到。所述钴掺杂硫化铜纳米片材料具有丰富缺陷和硫空位的钴掺杂硫化铜纳米片材料作为电解水的电极材料，具有低的电阻，不仅实现了长的稳定性，而且具有大的比表面积，从而提供更大的活性面积，实现氧气快速高效析出。