机译:应变硅上的接触金属化
Department of Electronics and ECE, IIT Kharagpur, Kharagpur 721302, India;
strained-Si; NiSi; schottky diode; barrier height; surface potential;
机译:接触蚀刻停止层(CESL)应力的杨氏模量对应变Si MOSFET的影响
机译:金属-绝缘体-半导体触点和金属-半导体触点的接触电阻率
机译:金属和退火对GeTe /金属触点的比接触电阻率的影响
机译:间隙材料物理性质的影响及平均义接触压力对接触金属热接触电阻的行为
机译:金属-半导体接触的性质:金属-半导体接触中空间变化的能垒的证据。
机译:氦离子轰击增强了最终触点从而改善了石墨烯-金属触点
机译:金属-绝缘体-半导体触点和金属-半导体触点的接触电阻率
机译:直写接触:金属化和接触形成;预印本