机译:铋插层化合物Bi_xTiS_2的增强的热电性能
Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, People's Republic of China;
A. Semiconductor; B. Chemical synthesis; C. Thermoelectric properties;
机译:钕插层化合物NdxTiS2的增强的热电性能
机译:通过基础铋掺杂增强Cu_3SBSE_4化合物的热电性能
机译:电子密度优化和Ti自嵌入Ti1 + XS2化合物的各向异性热电性能
机译:石墨插层化合物的热电性质
机译:纳米结构的p型硅锗,铋碲,铋锑和Halfheusler块状材料的热电性能研究。
机译:n型碲化铋:硒化铋合金Bi2Te3-xSex的热电性质
机译:通过诸如异铋掺杂增强Cu3SbSe4化合物的热电性能