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机译:用于纳米技术的SRAM单元的读取稳定性和写入能力分析
CMOS integrated circuits; SRAM chips; circuit noise; circuit optimisation; nanotechnology; statistical analysis; SNM metric; SRAM cells; intra-die variability; nanometer CMOS technologies; read stability N-curve metrics; read stability analysis; static noise margin;
机译:用于纳米技术的SRAM单元的读取稳定性和写入能力分析
机译:FinFET SRAM单元的读取稳定性和可写入性分析
机译:在采用45nm技术的7T SRAM单元读取操作期间进行SNM分析,以提高单元稳定性
机译:64nm SRAM采用32nm High-k金属栅SOI技术,具有0.7V的操作能力,具有增强的稳定性,可写入性和可读取性
机译:纳米CMOS技术的电路延迟和稳定性建模。
机译:使用平行长读和短读测序技术对普通Mar猴(Callithrix jacchus)转录组进行全长cDNA的定性从头分析和基因表达的定量分析
机译:纳米技术的SRAM单元的读取稳定性和可写性分析