机译:具有超低功耗二极管的低泄漏SOI CMOS静态存储单元
CMOS memory circuits; SRAM chips; digital storage; diodes; low-power electronics; memory architecture; silicon-on-insulator; 0.13 micron; CMOS digital storage device; CMOS inverters; CMOS static memory cell; MOS transistors biasing; SRAM cell; gate-to-source voltages;
机译:具有超低功耗二极管的低泄漏SOI CMOS静态存储单元
机译:用于低功耗65 nm FD-SOI / SON CMOS技术的高速减少泄漏的SRAM存储单元设计技术
机译:cNV SRAM:基于CMOS技术的基于非易失性SRAM的超低泄漏能量混合存储系统
机译:SRAM存储器电池泄漏减少设计技术65 nm低功耗PD-SOI CMOS
机译:在多值静态CMOS存储器单元上。
机译:超低功率高温和辐射硬互补金属氧化物半导体(CMOS)绝缘体上硅(SOI)电压基准
机译:超低功耗18晶体管在65-NM CMOS中完全静态争用单相时钟触发器