机译:无结双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的射频/模拟和线性性能
Silicon Inst Technol, ECE Dept, Bhubneshwar, India;
Silicon Inst Technol, EIE Dept, Bhubneshwar, India;
W Bengal Univ Technol, CSE Dept, Kolkata, W Bengal, India;
Kalyani Govt Engn Coll, ECE Dept, Kalyani, W Bengal, India;
Intrinsic gain; transconductance generation factor; cut off frequency; inter modulation distortion; third-order intercept point; 1-dB compression;
机译:无结单金属栅极圆柱形环绕栅金属氧化物半导体场效应晶体管的模拟和射频性能
机译:具有对称侧门的无连接双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的仿真研究
机译:基于射频模拟电路累积模式器件结构的Si(110)上非常高性能的新型新型平衡完全耗尽绝缘子上互补金属氧化物半导体场效应晶体管的研究
机译:双栅扩展源极隧穿场效应晶体管的射频和稳定性能分析
机译:绝缘亚微米栅极III-N异质结构场效应晶体管的射频特性。
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)