首页> 中国专利> 双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管

双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管

页面导航

摘要

一种双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)可以包括具有沟道区、漏极和源极的MOSFET、邻近沟道区形成的第一栅极、邻近漏极形成的漏极扩展区，以及邻近漏极扩展区形成的第二栅极。

公开/公告号CN111418070B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-15

原文格式PDF
申请/专利权人思睿逻辑国际半导体有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201880077342.X
发明设计人斯科特·沃里克;贾斯汀·多尔蒂;亚历山大·巴尔;克里斯蒂安·拉森;马克·L·塔拉比亚;应迎;
展开▼

申请日2018-09-20
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/40(20060101);H01L29/786(20060101);H01L29/06(20060101);
代理机构11332 北京品源专利代理有限公司;
代理人谭营营;胡彬
地址英国爱丁堡
入库时间 2022-08-23 12:37:03

1. 双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管 [P] . 中国专利： CN111418070B . 2021.10.15
2. 双栅极及三栅极金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法 [P] . 中国专利： CN100472810C . 2009.03.25
3. Dual gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistor [P] . GB2567019B . 2021-03-03

机译：双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管
4. Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor, metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method thereof [P] . 美国专利： US10062770B2 . 2018-08-28

机译：互补金属氧化物半导体场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
5. Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor, metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method thereof [P] . 美国专利： US9536792B2 . 2017-01-03

机译：互补金属氧化物半导体场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法