机译:微波退火法分析宽漏极多晶硅FinTFTs的断态漏电流
Natl Taipei Univ Technol Dept Elect Engn 1 Sec 3 Chung Hsiao E Rd Taipei 10608 Taiwan;
Taiwan Semicond Res Inst 26 Prosper Rd 1 Hsinchu Sci Pk Hsinchu 30078 Taiwan|Natl Chung Hsing Univ Dept Phys 145 Xingda Rd Taichung 402 Taiwan;
Taiwan Semicond Res Inst 26 Prosper Rd 1 Hsinchu Sci Pk Hsinchu 30078 Taiwan;
fin-like thin-film transistors; wide drain; longitudinal band-to-band tunneling (L-BTBT); low-temperature microwave annealing (MWA);
机译:通过加速功率循环测试分析商用650 V离散型GaN-on-Si HEMT电源器件的断态漏源漏电流故障机理
机译:漏极扩展区上捕获的氧化物电荷与截止态漏极泄漏电流之间关系的定量研究
机译:镍介导的超薄a-Si结晶的低截止态漏极电流多晶硅TFT
机译:利用栅极感应的漏漏电流的超低电流源进行宽范围,精确的组织阻抗分析电路
机译:在时序分析,漏电流分析和延迟故障诊断中确定性的模内变化建模。
机译:A-Ingazno薄膜晶体管中光漏电流和负偏压照明应力的退火诱导稳定性的定量分析
机译:定量研究漏极延伸区上的氧化物电荷俘获与断态漏极漏电流之间的关系