机译:HfSiON栅极电介质的电性能对TaSiN金属电极厚度的依赖性
Research Department 1, Semiconductor Leading Edge Technologies (Selete) Inc., 16-1, Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan;
机译:Gd覆盖层对带有TaC栅电极和HfSiON栅介质的金属氧化物半导体场效应晶体管的电特性的影响
机译:TiN金属栅电极厚度对基于HfSiON的MOSFET BTI和介电击穿的影响
机译:TiN栅电极引起的HfSiON电介质的热降解及其对电性能的影响
机译:使用TaSiN / TaSi_x堆叠电极和选择性衬底氟注入技术的超薄HfSiON栅极电介质的高迁移率和低V_th金属栅极CMOSFET
机译:通过原子层沉积进行金属栅/高k电介质堆叠工程:材料问题和电性能。
机译:频率和栅极电压对Al ∕ SiO2 ∕ p-Si金属-绝缘体-半导体肖特基二极管的介电性能和电导率的影响
机译:通过使用HfsiON中间层改善具有HfTiON栅极电介质的金属氧化物半导体电容器的电特性