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李美亚; 汪晶; 刘军; 于本方; 郭冬云; 赵兴中;
武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072;
武汉大学教育部声光材料与器件重点实验室,武汉,430072;
YBa2Cu3O7-x镀膜导体; CeO2缓冲层; 厚度依赖性; 外延生长;
机译:金属有机沉积法制备YBa2Cu3O7-x涂层导体的钙钛矿结构氧化物缓冲层
机译:电化学法沉积纳米CeO2薄膜作为涂层导体缓冲层的机理
机译:杂质对涂层导体CeO2缓冲层临界厚度的影响
机译:用于YBCO涂层导体的金属基板上的高纹理CeO2缓冲层
机译:通过化学溶液沉积为YBCO涂层导体开发缓冲层。
机译:适用于YBCO涂层导体的新型厚厚致密晶格匹配单缓冲层的水溶液化学沉积:制备和表征
机译:通过脉冲激光沉积在自外延CeO2缓冲液中制备高JC YBA2Cu3O7-X涂层导体的制备
机译:用于YBCO涂层导体的双轴织构金属基板上的溶液基缓冲层的外延生长
机译:在Si衬底的REAIN / REO缓冲层上外延生长的REN半导体层
机译:III族氮化物外延层与III族氮化物缓冲层的单级外延外延生长和单级横向外延生长
机译:通过去除体层以暴露外延生长层并通过去除支撑衬底的部分以暴露外延生长层的部分的制造半导体器件的方法
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