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YBa2Cu3O7-x涂层导体的外延生长和性能对CeO2缓冲层的依赖性

     

摘要

利用倾斜衬底沉积法在无织构的金属衬底上生长了MgO双轴织构的模板层,在这一模板层上实现了YBa2Cu3O7-x薄膜的外延生长.在外延YBa2Cu3O7-x薄膜前,依次沉积了钇稳定的立方氧化锆和CeO2作为缓冲层.利用X射线衍射2θ扫描、φ扫描、Ω扫描和极图分析测定了这些膜的结构和双轴织构取向,利用Raman光谱表征了其超导相的品质和取向特性,利用扫描电镜和原子力显微镜观测了薄膜的表面形貌和粗糙度.考察了不同厚度的CeO2层对YBa2Cu3O7-x生长和性质的影响.发现了YBa2Cu3O7-x薄膜的外延生长和性能对CeO2的不同厚度具有显著而独特依赖性.讨论了其可能的机理.

著录项

  • 来源
    《物理学报》|2008年第5期|3132-3137|共6页
  • 作者单位

    武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072;

    武汉大学教育部声光材料与器件重点实验室,武汉,430072;

    武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072;

    武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072;

    武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072;

    武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072;

    武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072;

    武汉大学教育部声光材料与器件重点实验室,武汉,430072;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

    YBa2Cu3O7-x镀膜导体; CeO2缓冲层; 厚度依赖性; 外延生长;

  • 入库时间 2024-01-27 04:51:52

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