机译:使用HfO_2栅极电介质和氮离子注入的高性能p沟道LTPS-TFT
Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, Republic of China;
Institute and Department of Electrophysics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, Republic of China;
Institute and Department of Electrophysics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, Republic of China;
Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, Republic of China;
机译:在负偏压温度不稳定性应力作用下,掺入氮和硅的HfO_2栅极电介质的p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管产生体和界面陷阱
机译:高性能SPC和MILC具有高kappa栅极电介质的p沟道LTPS-TFT的电气特性
机译:具有HfO_2栅介质的应变Si p沟道MOSFET的研究
机译:HFO_2栅介质中的氮对N_2等离子体的电学和可靠性特征的影响
机译:氮结合的氧化f栅介电薄膜和钛基金属栅电极用于双栅应用。
机译:具有二维半导体通道的高性能晶体管的超钝化层的离子凝胶混合栅极电介质
机译:具有超薄等离子体 - 氮化SiON电介质的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性下的界面阱和氧化物电荷产生