机译:Gaas / Gaina梯度沟道高电子迁移率晶体管结构的子带结构和内置电场的温度依赖性光反射和光致发光特性
机译:具有变化的量子阱组成轮廓的AlGaAs / InGaAs / GaAs拟态高电子迁移率晶体管结构的室温光透射率和光致发光特性
机译:室温光致发光光谱法无损测定假晶AlGaAs / InGaAs / GaAs高电子迁移率晶体管结构中的薄层载流子密度
机译:用光反射光谱研究带有内置电场的耦合量子阱结构中的电子跃迁
机译:用光反光和光致发光光谱研究了内置电场对MinaAs / GaASP超晶格中的Miniband结构和载波非阵列重组的影响
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:通过分子束外延在Si(100)上生长的GaAs / GaInAs核-多量子阱壳纳米线结构的室温光致发光的观察和可调性
机译:GaAs / GaInP异质结双极晶体管晶片中界面电场的傅里叶变换光反射特性