机译:具有变化的量子阱组成轮廓的AlGaAs / InGaAs / GaAs拟态高电子迁移率晶体管结构的室温光透射率和光致发光特性
机译:具有变化的量子阱组成轮廓的GaAlAs / InGaAs / GaAs拟态高电子迁移率晶体管结构的表面光电压光谱表征
机译:室温光致发光光谱法无损测定假晶AlGaAs / InGaAs / GaAs高电子迁移率晶体管结构中的薄层载流子密度
机译:InGaAs / AlGaAs拟晶高电子迁移率晶体管结构中二维电子气的光学研究
机译:Schottky Bulk层设计在双异质结假形Algaas / Ingaas / Algaas高电子移动晶体管(DH-HEMTS)中的应用
机译:AlGaAs / InGaAs伪晶高电子迁移率晶体管的击穿行为和优化。
机译:掺杂的自组装InAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs量子点中应变相关的光吸收的理论研究
机译:假晶alGaas / InGaas / Gaas高电子迁移率晶体管,18 GHz时具有0.41 dB的超低噪声性能
机译:调制掺杂的假晶alGaas / InGaas / Gaas量子阱的光致发光和电反射研究。