机译:双层石墨烯场效应晶体管的阈值电压滚降模型
Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Malaysia, UTM 81300 Skudai, Johor Bahru, Malaysia;
Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Malaysia, UTM 81300 Skudai, Johor Bahru, Malaysia;
Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Malaysia, UTM 81300 Skudai, Johor Bahru, Malaysia;
Malaysia-Japan International Institute of Technology, Universiti Teknologi Malaysia, 81300 Skudai, Johor Bahru, Malaysia;
Centre for Artificial Intelligence and Robotics (CAIRO), Universiti Teknologi Malaysia, 81300 Skudai, Johor Bahru, Malaysia;
机译:碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)的漏极诱导势垒降低(DIBL),阈值电压下降(Delta V-t下降)和漏极电流的研究
机译:双栅双层石墨烯场效应晶体管阈值电压的解析模型
机译:掺杂对基于石墨烯的场效应晶体管阈值电压偏移的影响
机译:双层石墨烯场效应晶体管的基于新物理学紧凑型型号
机译:基于石墨烯的场效应晶体管的计算建模。
机译:顶部栅极石墨烯场效应晶体管中金属石墨烯触点的栅极控制肖特基势垒降低的物理模型
机译:用于低压有机场效应晶体管的石墨烯氧化物/聚苯乙烯双层栅极电介质
机译:Inp n沟道增强模式金属 - 绝缘体 - 半导体场效应晶体管的阈值电压漂移。