机译:双栅双层石墨烯场效应晶体管阈值电压的解析模型
Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Malaysia - UTM,Johor Bahru,Johor 81310, Malaysia;
Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Malaysia - UTM,Johor Bahru,Johor 81310, Malaysia;
Malaysia Japan International Inst. of Technology, Universiti Teknologi Malaysia - UTM,Johor 81310, Malaysia;
Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Malaysia - UTM,Johor Bahru,Johor 81310, Malaysia;
Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Malaysia - UTM,Johor Bahru,Johor 81310, Malaysia;
机译:无连接双闸门垂直狭缝场效应晶体管表面电位和阈值电压的分析模型
机译:短沟道三材料双栅金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的二维分析模型
机译:双栅肖特基源极/漏极绝缘体上硅氧化物金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压分析模型
机译:双栅极结少场效应晶体管的阈值电压的解析模型
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:单轴应变对双栅石墨烯纳米带场效应晶体管性能影响的分析模型
机译:用于阈值电压调整和改善性能的新型双栅InGaAs垂直纳米线晶体管器件的分析建模和数值模拟