利用绝缘衬垫防止窄器件中的阈值电压的滚降

摘要

一种形成半导体器件的方法,该方法使半导体器件的沟槽中的氧化凹槽最小。在一个实施例中,围绕浅沟槽绝缘区中的沟槽上边角氧化物形成氮化物衬垫,保护边角氧化物在工艺中不被蚀刻。沟槽中的氧化凹槽引起沟槽的上边角处的强电场和晶体管的Vt滚降,这是不希望发生的。根据一个实施例,掩蔽填充有HDP氧化物并进行平面化的STI区。掩膜基本上覆盖HDP氧化物并与氮化物的至少一部分重叠。蚀刻去除氮化物的暴露区,在HDP氧化物填充的两个侧边形成氮化物衬垫。