机译:掺杂受体的GaAs / GaAlAs异质结构中的传导电子:综述
Polish Acad Sci, Inst Phys, Al Lotnikow 32-46, PL-02668 Warsaw, Poland;
Univ Montpellier, CNRS, Lab Charles Coulomb UMR 5221, F-34095 Montpellier, France;
Wroclaw Univ Technol, Dept Expt Phys, Lab Opt Spect Nanostruct, PL-50370 Wroclaw, Poland;
two-dimensional electron systems; impurities in semiconductors; magneto-optic and galvanomagnetic effects;
机译:GaAs / GaAlAs量子阱中带电磁受体A〜(2-)定位的导电电子
机译:GaAs / GaAlAs异质结构中的磁受体导致量子霍尔效应中电子的磁解冻和蒸发
机译:光学激发的8受体掺杂GaAs / Al_xGa_(1-x)As异质结构中电子子带的占据
机译:GaAs / GaAlAs量子阱中与磁受体和磁供体结合的导电电子
机译:通过分子束外延生长低无序GaAs / AlGaAs异质结构,以研究二维相关电子相。
机译:GaAs / GaAlAs量子阱中氢供体杂质的线性Rashba模型
机译:受体掺杂GaAs / Gaalas异质结构的传导电子:综述
机译:Gaalas-Gaas-Gaalas异质结构中的谐振磁通道