机译:使用固体源分子束外延在Si(110)衬底上生长应变Si /松弛SiGe异质结构
Univ Yamanashi, Ctr Crystal Sci & Technol, 7-32 Miyamae Cho, Kofu, Yamanashi 4008511, Japan;
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Nagoya Univ, Grad Sch Engn, Chikusa Ku, Furo Cho, Nagoya, Aichi 4648603, Japan;
Univ Yamanashi, Ctr Crystal Sci & Technol, 7-32 Miyamae Cho, Kofu, Yamanashi 4008511, Japan;
molecular beam epitaxy; strained Si; surface morphology; defects;
机译:固体源分子束外延在Si(110)上SiGe的生长过程中应变松弛过程和晶体形态的演化
机译:在Si(001)衬底上通过混合外延生长的松弛SiGe梯度缓冲液上的应变Ge-SiGe异质结构的XRD分析
机译:全固态多晶片生产分子束外延生长Be掺杂GaInP / GaAs异质结构双极晶体管
机译:单晶弹性松弛SiGe纳米膜:外延生长无缺陷应变Si / SiGe异质结构的基底。
机译:氢化物气相外延生长极性和非极性氮化物半导体准衬底,用于分子束外延开发光电子器件
机译:分子束外延法原位外延生长石墨烯/ h-BN范德华异质结构
机译:通过固体源分子束外延在Si(111)和(110)基材上生长的SiC膜的结构