机译:大价带能偏移量的提取及其与弛豫SiGe衬底上的应变Si / Ge应变II型异质结构理论值的比较
机译:单晶SiGe纳米膜上生长的外延Si / SiGe异质结构的电子输运性质
机译:应变Si / Sige异质结构中应变硅层厚度对位错分布和松弛的影响
机译:单晶弹性松弛的SiGe nanomembranes:用于无缺陷的应变 - Si / SiGe异质结构外延生长的基材
机译:Si / SiGe异质结构的应变工程纳米膜底物
机译:SiGe / SOI外延半导体中的正电子An灭表征缺陷
机译:提取大的价带能量偏移并与弛豫siGe衬底上的应变si /应变Ge-II异质结构的理论值比较