机译:通过非平衡处理形成n型Ge的原位欧姆接触
Helmholtz Zentrum Dresden Rossendorf, Inst Ion Beam Phys & Mat Res, Bautzner Landstr 400, D-01328 Dresden, Germany;
Politecn Milan, Dipartimento Fis, L NESS, Polo Como, Via Anzani 42, I-22100 Como, Italy;
Univ Padua, Dipartimento Fis & Astron, Via Marzolo 8, I-35131 Padua, Italy|CNR IMM MATIS, Via Marzolo 8, I-35131 Padua, Italy;
Politecn Milan, Dipartimento Fis, L NESS, Polo Como, Via Anzani 42, I-22100 Como, Italy;
Helmholtz Zentrum Dresden Rossendorf, Inst Ion Beam Phys & Mat Res, Bautzner Landstr 400, D-01328 Dresden, Germany;
Helmholtz Zentrum Dresden Rossendorf, Inst Ion Beam Phys & Mat Res, Bautzner Landstr 400, D-01328 Dresden, Germany;
Helmholtz Zentrum Dresden Rossendorf, Inst Ion Beam Phys & Mat Res, Bautzner Landstr 400, D-01328 Dresden, Germany;
Helmholtz Zentrum Dresden Rossendorf, Inst Ion Beam Phys & Mat Res, Bautzner Landstr 400, D-01328 Dresden, Germany;
Helmholtz Zentrum Dresden Rossendorf, Inst Ion Beam Phys & Mat Res, Bautzner Landstr 400, D-01328 Dresden, Germany;
Politecn Milan, Dipartimento Fis, L NESS, Polo Como, Via Anzani 42, I-22100 Como, Italy;
Helmholtz Zentrum Dresden Rossendorf, Inst Ion Beam Phys & Mat Res, Bautzner Landstr 400, D-01328 Dresden, Germany;
Helmholtz Zentrum Dresden Rossendorf, Inst Ion Beam Phys & Mat Res, Bautzner Landstr 400, D-01328 Dresden, Germany;
Helmholtz Zentrum Dresden Rossendorf, Inst Ion Beam Phys & Mat Res, Bautzner Landstr 400, D-01328 Dresden, Germany;
Helmholtz Zentrum Dresden Rossendorf, Inst Ion Beam Phys & Mat Res, Bautzner Landstr 400, D-01328 Dresden, Germany;
germanium; flash lamp annealing; ion implantation; NiGe; ohmic contact;
机译:场效应晶体管的n型GaN上肖特基和欧姆接触的形成工艺和特性
机译:使用铟镓锌氧化物(IGZO)在低n型砷化镓(GaAs)上形成欧姆接触的过程
机译:仅使用正面处理即可将N型欧姆接触应用于未掺杂的GaAs / AlGaAs量子阱:应用于双极性FET
机译:使用GeMoW金属化技术对n型GaAs进行欧姆接触以进行自我处理
机译:欧姆触点是同性境生长的p型和n型锗
机译:溶胶-凝胶法和溶剂热法在氧化铈中原位形成氧化石墨烯还原结构
机译:仅使用正面处理即可将N型欧姆接触用于未掺杂的GaAs / AlGaAs量子阱:应用于双极性FET