机译:基于温度的GaN基异质结构场效应晶体管中阈值电压的不稳定性
Slovak Univ Technol Bratislava, Inst Elect & Photon, SK-81219 Bratislava, Slovakia;
Slovak Acad Sci, Inst Elect Engn, SK-84104 Bratislava, Slovakia;
Slovak Univ Technol Bratislava, Inst Elect & Photon, SK-81219 Bratislava, Slovakia;
Slovak Univ Technol Bratislava, Inst Elect & Photon, SK-81219 Bratislava, Slovakia;
GaN; field-effect transistors; threshold voltage;
机译:Si上的增强型金属绝缘体半导体GaN / AlInN / GaN异质结构场效应晶体管,阈值电压为+3.0 V,阻断电压为1000 V以上
机译:GaN基晶体管的正和负阈值电压不稳定性
机译:GaN基异质结晶体管中热引起的阈值电压不稳定性的机制
机译:热敏素对GaN的异质结构场效应晶体管的可靠性影响
机译:基于层状材料及其异质结构的场效应晶体管中的电荷传输。
机译:调整电解质门控有机场效应晶体管中的阈值电压
机译:si上的增强型金属 - 绝缘体 - 半导体GaN / alInN / GaN异质结构场效应晶体管,阈值电压为+ 3.0V,阻断电压高于1000V
机译:Inp n沟道增强模式金属 - 绝缘体 - 半导体场效应晶体管的阈值电压漂移。