机译:应力致漏电流与超薄栅极氧化物中随时间变化的介电击穿之间的关系
机译:0.7 nm EOT $ hbox {HfO} _ {2} $ pFET的时间相关介电击穿和应力引起的漏电流特性
机译:应力引起的漏电流的现象学分类和与时间有关的介电击穿机理
机译:重离子,电子或X射线辐照后的超薄栅极氧化物中的场泄漏电流低且发生软击穿
机译:超薄氧化物和N / sub 2 / O氮氧化物的击穿机理和应力诱导的漏电流
机译:紧凑的栅极电容和栅极电流建模,可用于超薄(EOT〜1 nm及以下)二氧化硅和高kappa栅极电介质。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:超薄栅极氧化物和高k电介质中的重离子诱导的分解
机译:区域熔化 - 重结晶硅 - 绝缘体薄膜上产生的缺陷相关介电击穿,变化陷阱和界面态氧化物生成