机译:串联电阻对具有超薄EOT高k /金属栅叠层的MOSCAP的零时电介质击穿特性的影响
机译:用kMC TDDB模拟研究TiN覆盖层对超薄EOT高k金属栅极NMOSFET随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:高K栅堆叠的介电击穿与超薄氧化物的逐步击穿之间有很强的类比
机译:超薄栅氧化物中介电击穿的结构依赖性及其与软击穿模式和器件故障的关系
机译:快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究,用于未来的ULSI MOSFET器件集成:氧化锆和氧化ha。
机译:顶栅石墨烯纳米带晶体管具有超薄高k电介质
机译:超薄高k栅极堆叠的介电击穿后MOSFET的恢复和电路功能
机译:区域熔化 - 重结晶硅 - 绝缘体薄膜上产生的缺陷相关介电击穿,变化陷阱和界面态氧化物生成