机译:基于HGCDTE NBN结构的金属绝缘体 - 半导体器件的承载
Natl Res Tomsk State Univ Tomsk 634050 Russia;
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Natl Res Tomsk State Univ Tomsk 634050 Russia;
Natl Res Tomsk State Univ Tomsk 634050 Russia|RAS SB AV Rzhanov Inst Semicond Phys Novosibirsk 630090 Russia;
RAS SB AV Rzhanov Inst Semicond Phys Novosibirsk 630090 Russia;
RAS SB AV Rzhanov Inst Semicond Phys Novosibirsk 630090 Russia;
RAS SB AV Rzhanov Inst Semicond Phys Novosibirsk 630090 Russia;
HgCdTe; molecular beam epitaxy; nBn structure; barrier layer; MIS structure; admittance;
机译:基于HGCDTE NBN结构的金属绝缘体 - 半导体器件的承载
机译:GaAs衬底上通过分子束外延生长的基于梯度间隙HgCdTe的金属-绝缘体-半导体结构的导纳
机译:基于分子束外延生长HGCDTE的NBN结构的导纳特性
机译:界面陷阱参数对MIS(金属-绝缘体-半导体)隧道结构导纳特性的影响
机译:具有结构化运动的移动设备的基于蜂窝的定位
机译:高质量m平面ZnO基金属绝缘体半导体器件的室温电泵浦近红外随机激射
机译:工程单极基于HgCdTe的nBn红外光电探测器的带隙
机译:用于生产HgCdTe外延层,结构和器件的替代技术的工业开发。