机译:GaAs衬底上通过分子束外延生长的基于梯度间隙HgCdTe的金属-绝缘体-半导体结构的导纳
Metal-insulator-semiconductor structures; Mercury cadmium telluride; Molecular beam epitaxy; Alternative substrates; Admittance; Differential resistance of space charge region;
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机译:基于分子束外延生长的梯度间隙p-Hg0.78Cd0.22Te的金属-绝缘体-半导体结构近表面半导体层中的掺杂剂
机译:近表面梯度间隙层的组成对宽温度范围内基于梯度间隙MBE n-Hg1-xCdxTe的金属-绝缘体-半导体结构导纳的影响
机译:分子束外延生长的应变补偿GaInNAs / GaAs / GaAs量子阱结构的光致发光研究
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:高衬底温度下通过液滴外延生长的单个InGaAs / GaAs量子点的单光子发射
机译:衬底制备条件对分子束外延生长GaAs椭圆形缺陷的影响
机译:通过分子束外延在硅衬底上生长高质量Gaas mEsFET