机译:基于分子束外延生长HGCDTE的NBN结构的导纳特性
Natl Res Tomsk State Univ Tomsk Russia;
Natl Res Tomsk State Univ Tomsk Russia;
Natl Res Tomsk State Univ Tomsk Russia;
Natl Res Tomsk State Univ Tomsk Russia;
Russian Acad Sci Rzhanov Inst Semicond Phys Siberian Branch Novosibirsk Russia;
Russian Acad Sci Rzhanov Inst Semicond Phys Siberian Branch Novosibirsk Russia;
mercury cadmium telluride; n-HgCdTe; nBn structure; unipolar barrier detectors; molecular beam epitaxy; admittance; equivalent circuit; low-temperature measurements;
机译:基于分子束外延生长HGCDTE的NBN结构的导纳特性
机译:基于分子束外延生长的基于HGCDTE的表面泄漏限量NBN结构动态阻力的实验研究
机译:基于HGCDTE在GaAs基材上产生的HGCDTE的NBN结构的电特性
机译:低温退火对分子束外延生长异质结构p-HgCdTe性能的影响
机译:通过分子束外延生长的基于砷化铟的nBn光电探测器的特性。
机译:通过分子束外延生长在Si(111)衬底上的AlN纳米壁结构
机译:碘掺杂分子束外延生长HGCDTE中的少数型载体寿命
机译:分子束外延生长HgCdTe / si层的非原位热循环退火。