机译:含C-(4-叔丁基苯)杯[4]间苯二芳烃的超支化聚缩醛的合成:极紫外光刻的抗蚀性能
Kansai Univ, Dept Chem & Mat Engn, Fac Chem Mat & Bioengn, 3-3-35 Yamate Cho, Suita, Osaka 5648680, Japan;
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Osaka Univ, Inst Sci & Ind Res, 8-1 Mihogaoka, Osaka 5670047, Japan;
Osaka Univ, Inst Sci & Ind Res, 8-1 Mihogaoka, Osaka 5670047, Japan;
Univ Hyogo, Ctr EUVL, LASTI, 3-1-2 Kouto, Kamigori, Hyogo 6781205, Japan;
Positive-type resist; Main-chain scission-type resist; Hyperbranched polyacetals; Extreme ultraviolet light;
机译:通过a(n)+ b(2)型加聚反应(n = 3、8、18和21)合成超支化聚缩醛:用于极端紫外光刻的候选抗蚀剂
机译:用于极端紫外线系统的含碲的含碲的分子抗蚀剂的合成与性能
机译:用于极端紫外线系统的含碲的分子抗蚀剂材料的合成与性能
机译:基于杯4间苯二甲烯衍生物的分子抗蚀剂,用于电子束光刻
机译:适用于光刻应用的极紫外(EUV)全息计量学。
机译:使用极端紫外(EUV)辐射和EUV诱导的氮等离子体的聚醚醚酮(PEEK)的物理化学表面改性
机译:超支化聚缩醛的合成及其抗阻性能
机译:更新sEmaTECH 0.5 Na极紫外光刻(EUVL)微场曝光工具(mET)。会议:spIE - 极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:Journal.publication日期:90481m。