GaNトランジスタに原子レベルで平坦を結晶層を新たに発見

摘要

NIMSを中心とする研究チームは、次世代パ ヮーデバイスとして期待される窒化ガリウム (GaN)を用いたトランジスタで、GaN結晶と 絶縁膜との界面に、これまでまったく知られて いなかつた原子レベルで平坦な準安定酸化ガリ ゥム結晶の層が存在することを発見した。さら に、この酸化ガリウムと同様の層が絶縁膜をつ ける前にGaN結晶の表面が自然に酸化される ことでも形成される可能性を明らかにした。