GaNトランジスタに原子レベルで平坦な結晶層を新発見

摘要

物質•材料研究機構（NIMS)を中心とする研究チームは、次世代パワーデバイスとして期待される窒化ガリウム（GaN)を用いたトランジスタにおいて、GaN結晶と絶縁膜との界面に、これまでまったく知られていなかった、原子レベルで平坦な準安定酸化ガリゥム結晶の層が存在することを発見した。さらに、この酸化ガリウムと同様の層が、絶縁膜をつける前にGaN結晶の表面が自然に酸化されることでも形成される可能性を明らかにした。