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机译:透射电子显微镜研究In_xGa_(1-x)As中形成岛的铟的偏析和临界浮层含量
Laboratorium fuer Elektronenmikroskopie and Center for Functional Nanostructures (CFN), Universitaet Karlsruhe, D-76128 Karlsruhe, Germany;
机译:高分辨率透射电子显微镜测定GaAs(001)上InxGa_(1-x)As岛中的偏析,弹性应变和薄箔松弛
机译:XANES和XES研究富铟In_xGa_(1-x)N薄膜的电子结构
机译:从头开始研究In_xGa_(1-x)As,GaAs_(1-y)P_y三元和In_xGa_(1-x)As_(1-y)P_y四元半导体合金的结构,电子和光学性质
机译:MOCVD IN_XGA_(1-x)N / GAN量子层强铟偏析的证据
机译:应变的铟(0.52)铝(0.48)砷化物/铟(x)镓(1-x)砷化物(x大于0.53)高电子迁移率晶体管(HEMT),用于微波/毫米波应用。
机译:微等离子体与透射电子显微镜的整合:金溅射和岛形成的实时观察
机译:透射电子显微镜对偏析和分离的研究 铟的临界浮层含量,用于InGaas中的岛形成
机译:透射电子显微镜(TEm)样品制备c-平面蓝宝石衬底中的si(1-x)Gex。