法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-09-09
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01N21/31 申请公布日:20130710 申请日:20130403
发明专利申请公布后的视为撤回
2013-08-07
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/31 申请日:20130403
实质审查的生效
2013-07-10
公开
公开
机译: 半导体器件,例如在场效应晶体管中,包括铝-镓-铟-氮层,铝-镓-氮中间层和另一个铝-镓-铟-氮层
机译: 制备铜,铟,镓和硒类型的薄膜太阳能电池,包括将包含上述元素的涂布液涂覆在电池基板表面上并退火,该涂布液包含溶解在含氮/碳的化合物中的上述元素。
机译: 用于氮化铟镓型发光二极管的半导体芯片包括由氮化物材料制成的半导体层和n掺杂层,其中n掺杂剂比硅或元素周期表中特定族的元素重